\(\rm{(A)}\)
锗\(\rm{(Ge)}\)是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题：
\(\rm{(1)Ge}\)与\(\rm{C}\)是同族元素，\(\rm{C}\)原子之间可以形成双键、叁键，但\(\rm{Ge}\)原子之间难以形成双键或叁键。从原子结构角度分析，原因是_______________。
\(\rm{(2)}\)比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因___________________。
| \(\rm{GeCl_{4}}\) | \(\rm{GeBr_{4}}\) | \(\rm{GeI_{4}}\) |
熔点\(\rm{/℃}\) | \(\rm{−49.5}\) | \(\rm{26}\) | \(\rm{146}\) |
沸点\(\rm{/℃}\) | \(\rm{83.1}\) | \(\rm{186}\) | 约\(\rm{400}\) |
\(\rm{(3)Ge}\)单晶具有金刚石型结构，其中\(\rm{Ge}\)原子的杂化方式为\(\rm{sp^{3}}\)，微粒之间存在的作用力是_____________。
\(\rm{(4)}\)晶胞有两个基本要素：\(\rm{①}\)原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置，下图为\(\rm{Ge}\)单晶的晶胞，其中原子坐标参数\(\rm{A}\)为\(\rm{(0,0,0)}\)；\(\rm{B}\)为\(\rm{(}\)\(\rm{ \dfrac{1}{2}}\)，\(\rm{0}\)，\(\rm{ \dfrac{1}{2}}\)\(\rm{)}\)；\(\rm{C}\)为\(\rm{(}\)\(\rm{ \dfrac{1}{2}}\)，\(\rm{ \dfrac{1}{2}}\)，\(\rm{0)}\)。则\(\rm{D}\)原子的坐标参数为______。\(\rm{②}\)晶胞参数，描述晶胞的大小和形状，已知\(\rm{Ge}\)单晶的晶胞参数\(\rm{a=565.76 pm}\)，其密度为__________\(\rm{g·cm}\)\(\rm{{\,\!}^{−3}}\)\(\rm{(}\)列出计算式即可\(\rm{)}\)。
\(\rm{(B)}\)
\(\rm{A}\)，\(\rm{B}\)，\(\rm{C}\)，\(\rm{D}\)，\(\rm{E}\)，\(\rm{F}\)为前四周期原子序数依次增大的六种元素。已知：\(\rm{A}\)是周期表中原子半径最小的元素，\(\rm{B}\)的基态原子\(\rm{2p}\)原子轨道上有\(\rm{3}\)个未成对的电子，且\(\rm{B}\)、\(\rm{C}\)、\(\rm{E}\)三种元素原子中未成对电子数之比为\(\rm{3∶2∶1}\)，\(\rm{D}\)原子核外有\(\rm{4}\)个能级且均充满电子，\(\rm{D}\)与\(\rm{E}\)可形成\(\rm{DE_{2}}\)型化合物，\(\rm{F}\)原子核外最外层只有\(\rm{1}\)个电子，其余各层均充满电子。回答下列问题：
\(\rm{(1)B}\)、\(\rm{C}\)、\(\rm{D}\)三种元素的第一电离能由大到小的顺序为____。\(\rm{(}\)用元素符号表示\(\rm{)}\)
\(\rm{(2)}\)在周期表中与\(\rm{F}\)同周期且未成对电子数最多的元素为_____\(\rm{(}\)填写元素符号\(\rm{)}\)。
\(\rm{(3)B}\)、\(\rm{E}\)两种元素中可形成\(\rm{XY_{3}}\)型化合物，其中心原子杂化方式为________。
\(\rm{(4)A}\)与\(\rm{B}\)形成的化合物易溶解在\(\rm{A}\)与\(\rm{C}\)形成的化合物中，其原因是_________________________________________。请在画出\(\rm{F}\)\(\rm{{\,\!}^{2+}}\)与\(\rm{NH}\)\(\rm{{\,\!}_{3}}\)形成配离子的结构式为：____________________________________________________________________。