【化学\(\rm{—}\)选修\(\rm{3}\)：物质结构与性质】
氮、磷、砷\(\rm{(As)}\)等\(\rm{VA}\)族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。
\(\rm{(1)}\)写出基态\(\rm{As}\)原子的核外电子排布式________。
\(\rm{(2)NH_{3}}\)、\(\rm{PH_{3}}\)、\(\rm{AsH_{3}}\)熔沸点由高到低的顺序为________。
\(\rm{(3)}\)水合肼\(\rm{(N_{2}H_{4}·H_{2}O)}\)又名水合联氨，是一种重要的化工试剂。利用尿素法生产水合肼的原理为：\(\rm{CO(NH_{2})_{2}+ 2NaOH + NaClO ══ Na_{2}CO_{3}+ N_{2}H_{4}·H_{2}O + NaCl}\)，该反应中所涉及的第二周期元素第一电离能大小顺序是________。晶体\(\rm{N_{2}H_{4}·H_{2}O}\)中各种微粒间的作用力不涉及____\(\rm{(}\)填字母\(\rm{)}\)。
\(\rm{a.}\) 离子键 \(\rm{b.}\) 共价键 \(\rm{c.}\) 金属键 \(\rm{d.}\) 氢键 \(\rm{e.}\) 范德华力
\(\rm{(4)NO_{3}^{-}}\)的\(\rm{VSEPR}\)模型是_______ ，\(\rm{H_{3}AsO_{3}}\)分子中\(\rm{As}\)的杂化方式为_________。
\(\rm{(5)GaAs}\)以第三代半导体著称，性能比硅更优良，广泛用于电子计算机、人造卫星等尖端技术。它的熔点为\(\rm{1238℃}\)，密度为\(\rm{ρ g·cm^{−3}}\)，其晶胞结构如下图所示。\(\rm{GaAs}\)为________晶体，晶胞结构与\(\rm{NaCl}\)晶胞_______\(\rm{(}\)填“相同”或“不同”\(\rm{)}\)。\(\rm{Ga}\)和\(\rm{As}\)的摩尔质量分别为\(\rm{M_{Ga} g·mol^{−1}}\)和\(\rm{M_{As}g·mol^{−1}}\)，原子半径分别为\(\rm{r_{Ga} pm}\)和\(\rm{r_{As} pm}\)，阿伏加德罗常数值为\(\rm{N_{A}}\)，则\(\rm{GaAs}\)晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为________。
