（2016•石嘴山校级三模）目前半导体生产展开了一场“铜芯片”革命--在硅芯片上用铜代替铝布线，古老的金属铜在现代科技应用上取得了突破．用黄铜矿（主要成分为CuFeS₂）生产粗铜，其反应原理如下：
CuFeS₂

O2

800℃

Cu₂S

O2，△

①

Cu₂O

Cu2S，△

②

Cu→CuSO₄
（1）基态铜原子的价电子排布式为    ，硫、氧元素相比，第一电离能较大的元素是    （填元素符号）．
（2）反应①、②中均生成有相同的气体分子，该分子的中心原子杂化类型是    ，其立体结构是    ，与该分子互为等电子体的单质气体的化学式是    ．
（3）某学生用硫酸铜溶液与氨水做了一组实验：CuSO₄溶液

氨水

蓝色沉淀

氨水

沉淀溶解，得到深蓝色透明溶液．写出蓝色沉淀溶于氨水的离子方程式：    ；
（4）铜是第四周期最重要的过渡元素之一，其单质及化合物具有广泛用途．铜晶体中铜原子堆积模型为    ；铜的某种氧化物晶胞结构如图所示，若该晶体的密度为d g/cm³，阿伏加德罗常数的值为N_A，则该晶胞中铜原子与氧原子之间的距离为    pm．（用含d和N_A的式子表示）

【考点】原子核外电子排布,晶胞的计算,原子轨道杂化方式及杂化类型判断

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