3.
(2016•东城区模拟)利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品薄片放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B.当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会在与z轴垂直的两个侧面之间产生电势差,这一现象称为霍尔效应.其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是上、下表面间建立起电场E
H,同时产生霍尔电势差U
H.当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,E
H和U
H达到稳定值,U
H的大小与I和B满足关系U
H=k
HIB,其中k
H称为霍尔元件灵敏度.已知此半导体材料是电子导电,薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e.下列说法中正确的是( )