4.
\(\rm{(I)A}\)、\(\rm{B}\)、\(\rm{C}\)、\(\rm{D}\)为原子序数依次增大的四种元素,\(\rm{A^{2-}}\)和\(\rm{B^{+}}\)具有相同的电子构型;\(\rm{C}\)、\(\rm{D}\)为同周期元索,\(\rm{C}\)核外电子总数是最外层电子数的\(\rm{3}\)倍;\(\rm{D}\)元素最外层有一个未成对电子\(\rm{.}\)回答下列问题:
\(\rm{(1)}\)四种元素中电负性最大的是 \(\rm{(}\)填元素符号\(\rm{)}\),其中\(\rm{C}\)原子的核外电子排布式为________________________.
\(\rm{(2)}\)单质\(\rm{A}\)有两种同素异形体,其中沸点高的是______\(\rm{(}\)填分子式\(\rm{)}\),原因是____________;\(\rm{A}\)和\(\rm{B}\)的氢化物所属的晶体类型分别为______和_____.
\(\rm{(3)C}\)和\(\rm{D}\)反应可生成组成比为\(\rm{1}\):\(\rm{3}\)的化合物\(\rm{E}\),\(\rm{E}\)的立体构型为______,中心原子的杂化轨道类型______.
\(\rm{(4)}\)化合物\(\rm{D_{2}A}\)的立体构型为______, 中心原子的价层电子对数为______, 单质\(\rm{D}\)与湿润的\(\rm{Na_{2}CO_{3}}\)反应可制备\(\rm{D_{2}A}\),其化学方程式为________.
\(\rm{(II)}\)砷化镓\(\rm{(GaAs)}\)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等\(\rm{.}\)回答下列问题:
\(\rm{(1)}\)写出基态\(\rm{As}\)原子的核外电子排布式______.
\(\rm{(2)GaAs}\)的熔点为\(\rm{1238℃}\),密度为\(\rm{ρ g⋅cm^{-3}}\) ,其晶胞结构如图所示\(\rm{.}\)该晶体的类型为______, \(\rm{Ga}\)与\(\rm{As}\)以______键键合\(\rm{.Ga}\)和\(\rm{As}\)的摩尔质量分别为\(\rm{M_{Ga}}\) \(\rm{g⋅mol^{-1}}\)和\(\rm{M_{As\;}g⋅mol^{-1}}\) , 原子半径分别为\(\rm{r_{Ga}pm}\)和\(\rm{r_{As}pm}\),阿伏伽德罗常数值为\(\rm{N_{A}}\),则\(\rm{GaAs}\)晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率 为______.