砷化镓\(\rm{(GaAs)}\)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等\(\rm{.}\)回答下列问题：
\(\rm{(1)}\)写出基态\(\rm{As}\)原子的核外电子排布式 ______ ．
\(\rm{(2)}\)根据元素周期律，原子半径\(\rm{Ga}\) ______ \(\rm{As}\)，第一电离能\(\rm{Ga}\) ______ \(\rm{As.(}\)填“大于”或“小于”\(\rm{)}\)
\(\rm{(3)AsCl_{3}}\)分子的立体构型为 ______ ，其中\(\rm{As}\)的杂化轨道类型为 ______ ．
\(\rm{(4)GaF_{3}}\)的熔点高于\(\rm{1000℃}\)，\(\rm{GaCl_{3}}\)的熔点为\(\rm{77.9℃}\)，其原因是 ______ ．
\(\rm{(5)GaAs}\)的熔点为\(\rm{1238℃}\)，密度为\(\rm{ρg⋅cm^{-3}}\)，其晶胞结构如图所示\(\rm{.}\)该晶体的类型为 ______ ，\(\rm{Ga}\)与\(\rm{As}\)以 ______ 键键合\(\rm{.Ga}\)和\(\rm{As}\)的摩尔质量分别为\(\rm{M_{Ga}g⋅mol^{-1}}\)和\(\rm{M_{As}g⋅mol^{-1}}\)，原子半径分别为\(\rm{r_{Ga}pm}\)和\(\rm{r_{As}pm}\)，阿伏伽德罗常数值为\(\rm{N_{A}}\)，则\(\rm{GaAs}\)晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为 ______ ．