4.
砷化镓\(\rm{(GaAs)}\)是优良的半导体材料\(\rm{.}\)可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等\(\rm{.}\)回答下列问题:
\(\rm{(1)}\)写出基态\(\rm{As}\)原子的核外电子排布式________.
\(\rm{(2)}\)根据元素周期律,原子半径\(\rm{Ga}\)________\(\rm{As}\),第一电离能\(\rm{Ga}\)________\(\rm{As.(}\)填“大于”或“小于”\(\rm{)}\)
\(\rm{(3)AsCl_{3}}\)分子的立体构型为________,其中\(\rm{As}\)的杂化轨道类型为________.
\(\rm{(4)GaF_{3}}\)的熔点高于\(\rm{1000℃}\),\(\rm{GaCl_{3}}\)的熔点为\(\rm{77.9℃}\),其原因是________.
\(\rm{(5)GaAs}\)的熔点为\(\rm{l238℃}\),密度为\(\rm{ρ g·cm^{-3}}\),其晶胞结构如图所示\(\rm{.}\)该晶体的类型为________,\(\rm{Ga}\)与\(\rm{As}\)以________键键合\(\rm{.Ga}\)和\(\rm{As}\)的摩尔质量分别为\(\rm{r_{Ga} pm}\)和\(\rm{r_{As}pm}\),\(\rm{M_{As} g·mol^{-1}}\),原子半径分别为\(\rm{r_{Ga}pm}\)和\(\rm{r_{As} pm}\),阿伏加德罗常数值为\(\rm{N_{A}}\),则\(\rm{GaAs}\)晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为________.